5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDS4953L86Z
FDS4953L86Z PDF预览

FDS4953L86Z

更新时间： 2024-02-05 20:06:54
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 255K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.053ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDS4953L86Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.74
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：5 A
最大漏源导通电阻：0.053 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS4953L86Z 数据手册

 浏览型号FDS4953L86Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS4953L86Z的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS4953L86Z的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS4953L86Z的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS4953L86Z的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS4953L86Z的Datasheet PDF文件第7页 
February 1999  
FDS4953  
Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET  
General Description  
Features  
These P-Channel  
Logic  
Level MOSFETs are  
-5 A, -30 V. RDS(ON) = 0.053 W @ VGS = -10 V,  
RDS(ON) = 0.095 W @ VGS = -4.5V.  
produced using Fairchild Semiconductor's advanced  
PowerTrench process that has been especially tailored  
to minimize the on-state resistance and yet maintain low  
gate charge for superior switching performance.  
Low gate charge (8nC typical).  
High performance trench technology for extremely low  
RDS(ON)  
These devices are well suited for portable electronics  
applications: load switching and power management,  
battery charging circuits, and DC/DC conversion.  
.
High power and current handling capability.  
SuperSOTTM-6  
SO-8  
SOT-223  
SuperSOTTM-8  
SOIC-16  
SOT-23  
D2  
4
5
6
7
8
D2  
D1  
D1  
3
2
1
G2  
S2  
G1  
1
pin  
SO-8  
S1  
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
-30  
±20  
V
(Note 1a)  
-5  
A
-20  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
1.6  
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1
0.9  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
(Note 1)  
© 1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS4953 Rev.C  
12345678

中文翻译

下载PDF

与FDS4953L86Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS-50 YAMAICHI

获取价格

 		Card Edge Connector, 50 Contact(s), 2 Row(s), Female, IDC Terminal, Socket
FDS5170N7 FAIRCHILD

获取价格

 		60V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS5351 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 6.1A, 35mヘ
FDS5351 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，6.1A，35mΩ
FDS5670 FAIRCHILD

获取价格

 		60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
FDS5670 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，10A，14mΩ
FDS5670_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS5672 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS5672 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60V，12A，10mΩ
FDS5680 FAIRCHILD

获取价格

 		60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET

与FDS4953L86Z相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证