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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.02 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS5680S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| FDS5682 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS5682_08 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 7.5A, 21m ohm |
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| FDS5682_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS5690 | FAIRCHILD |
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60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS5690 | ONSEMI |
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N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，7A，28mΩ |
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| FDS5690_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| FDS5690D84Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| FDS5690L86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| FDS5690-NBBM009A | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，7A，28mΩ |
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