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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | LEAD FREE, SO-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.36 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 94 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.021 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STS7NF60L | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-CHANNEL 60V - 0.017 ohm - 7.5A SO-8 STripFE |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS5690 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS5690 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，7A，28mΩ |
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| FDS5690_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| FDS5690D84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| FDS5690L86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| FDS5690-NBBM009A | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，7A，28mΩ |
|
| FDS5692Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UltraFET Trench MOSFET 50V, 5.8A, 24m Ohm |
|
| FDS-60 | YAMAICHI |
获取价格 |
Card Edge Connector, 60 Contact(s), 2 Row(s), Female, IDC Terminal, Socket |
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| FDS602SP | MITSUBISHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, 360A, Silicon, |
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| FDS602ST | MITSUBISHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, 665A, Silicon, |
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