5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.31 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | FAST SWITCHING |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 13 A | 最大漏极电流 (ID)： | 13 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.009 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 3 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI4686DY-T1-E3 | VISHAY |
功能相似  |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| IRF8721PBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS6298_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel Fast Switching PowerTrench MOSFET |
|
| FDS6299S | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
|
| FDS6299S_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET⑩ |
|
| FDS6375 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
|
| FDS6375 | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，-20V，-8A，24m |
|
| FDS6375_01 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
|
| FDS6375_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| FDS6375-B4M001D | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
|
| FDS6375D84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| FDS6375F011 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
