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FDS6375_NL

更新时间： 2024-12-01 21:21:23

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	62K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS6375_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SO-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.31
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.024 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDS6375_NL 数据手册

September 2001

FDS6375

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench^ÒMOSFET

General Description

Features

This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged

gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced

PowerTrench process. It has been optimized for power

management applications with a wide range of gate

drive voltage (2.5V – 8V).

· –8 A, –20 V. R_DS(ON)= 24 mW @ V_GS= –4.5 V

R_DS(ON)= 32 mW @ V_GS= –2.5 V

· Low gate charge (26 nC typical)

· High performance trench technology for extremely

Applications

low R_DS(ON)

· Power management

· Load switch

· High current and power handling capability

· Battery protection

SO-8

Pin 1SO-8

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

–20

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage

±8

–8

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

–50

P_D

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

2.5

1.2

1.0

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +175

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1c)

(Note 1)

125

R_qJA

R_qJC

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

FDS6375

13’’

12mm

2500 units

Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation

FDS6375 Rev E(W)

12 3 4 5

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与FDS6375_NL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS6375-B4M001D	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
FDS6375D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDS6375F011	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDS6375L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDS6375S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDS6375T/R	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDS-64	YAMAICHI	获取价格	Card Edge Connector, 64 Contact(s), 2 Row(s), Female, IDC Terminal, Socket
FDS6570A	FAIRCHILD	获取价格	Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDS6570A	ONSEMI	获取价格	单 N 沟道，2.5V 指定，PowerTrench® MOSFET，20V，15A，7.
FDS6570A	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时

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