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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDS6570A
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FDS6570A

更新时间： 2024-09-27 22:40:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 203K
描述
Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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FDS6570A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.32
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.0075 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS6570A 数据手册

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March 2000  
FDS6570A  
Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced  
using Fairchild Semiconductor's advanced  
PowerTrench process that has been especially tailored  
to minimize on-state resistance and yet maintain superior  
switching performance.  
• 15 A, 20 V. RDS(on) = 0.0075 Ω @ VGS = 4.5 V  
RDS(on) = 0.010 Ω @ VGS = 2.5 V.  
• Low gate charge (47nC typical).  
• Fast switching speed.  
These devices are well suited for low voltage and battery  
powered applications where low in-line power loss and  
fast switching are required.  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
Applications  
• High power and current handling capability.  
• DC/DC converter  
• Load switch  
• Battery protection  
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
G
S
S
SO-8  
S
TA = 25°C unless otherwise noted  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FDS6570A  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
20  
V
V
A
8
±
(Note 1a)  
(Note 1a)  
15  
50  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
2.5  
W
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.2  
1
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
Thermal Characteristics  
θ
(Note 1a)  
(Note 1)  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
50  
25  
C/W  
C/W  
JA  
°
°
JC  
θ
Package Outlines and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FDS6570A  
FDS6570A  
13’’  
12mm  
2500 units  
2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS6570A Rev. C  
12345678

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FDS6570A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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