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FDS6609A

更新时间： 2024-09-29 22:40:51

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
8页	647K
描述
P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

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FDS6609A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SOIC-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.42
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.3 A	最大漏极电流 (ID)：	6.3 A
最大漏源导通电阻：	0.032 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDS6609A 数据手册

April 2000

PRELIMINARY

FDS6609A

P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

General Description

Features

This P-Channel Logic Level MOSFET is produced

· –6.3 A, –30 V . R_DS(ON)= 0.032 W @ V _GS= -10 V

R_DS(ON)= 0.05 W @ V _GS= -4.5 V

using

Fairchild

Semiconductor's

advanced

PowerTrench process that has been especially tailored

to minimize on-state resistance and yet maintain

superior switching performance.

· Low gate charge

These devices are well suited for low voltage and

battery powered applications where low in-line power

loss and fast switching are required.

· Fast switching speed

· High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

Applications

· DC/DC converter

· Load switch

· High power and current handling capability

· Motor Drive

SO-8

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Ratings

Units

V_DSS

Drain-Source Voltage

–30

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage

±20

-6.3

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

-40

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

2.5

P_D

1.2

1.0

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

°C

Thermal Characteristics

°C/W

R_qJA

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1)

R_qJC

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

FDS6609A

13’’

12mm

2500 units

Ó2000 Fairchild Semiconductor Corporation

FDS6609A Rev B(W)

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

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FDS6609A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDS4435BZ	ONSEMI	功能相似	P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-8.8A，20mΩ
TPS1100DR	TI	功能相似	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 15V V(BR)DSS \| 1.6A I(D) \| SO
TPS1100D	TI	功能相似	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

与FDS6609A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS6612A	FAIRCHILD	获取价格	Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDS6612A	MICROSEMI	获取价格	EVALUATION KIT
FDS6612A	ONSEMI	获取价格	单 N 沟道，逻辑电平，Power Trench® MOSFET，30V，8.4A，22m
FDS6612A	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FDS6612A_03	FAIRCHILD	获取价格	Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFET
FDS6612AD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS6612AL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS6612A-NB5E029A	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDS6612A-NB5E029A	ONSEMI	获取价格	单 N 沟道，逻辑电平，Power Trench® MOSFET，30V，8.4A，22m
FDS6612A-OLDDIE	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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