5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDS6612A
FDS6612A PDF预览

FDS6612A

更新时间： 2024-09-29 22:40:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
8页 248K
描述
Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDS6612A 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.31
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：864677Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：SOIC8 CASE 751EB 0Samacsys Released Date：2019-10-22 10:08:34
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.2 A最大漏极电流 (ID)：8.4 A
最大漏源导通电阻：0.022 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：1 W最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS6612A 数据手册

 浏览型号FDS6612A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS6612A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS6612A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS6612A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS6612A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS6612A的Datasheet PDF文件第7页 
July 1998  
FDS6612A  
Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel Logic Level MOSFET is produced  
using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench  
process that has been especially tailored to minimize  
the on-state resistance and yet maintain superior  
switching performance.  
8.4 A, 30 V. RDS(ON) = 0.022 W @ VGS = 10 V,  
RDS(ON) = 0.030 W @ VGS = 4.5 V.  
Fast switching speed.  
Low gate charge.  
These devices are well suited for low voltage and battery  
powered applications where low in-line power loss and  
fast switching are required.  
High performance trench technology for extremely low  
RDS(ON)  
.
High power and current handling capability.  
SuperSOTTM-6  
SO-8  
SOT-223  
SuperSOTTM-8  
SOIC-16  
SOT-23  
5
6
4
3
2
1
D
D
D
D
7
8
G
S
pin 1  
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA = 25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
FDS6612A  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
30  
±20  
8.4  
V
(Note 1a)  
(Note 1a)  
A
40  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
2.5  
W
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.2  
1
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
50  
25  
°C/W  
°C/W  
(Note 1)  
FDS6612A Rev.C1  
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

中文翻译

下载PDF

FDS6612A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NDS9410A FAIRCHILD

类似代替

 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SI9410DY FAIRCHILD

类似代替

 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET
IRF7403TRPBF INFINEON

功能相似

 Generation V Technology

与FDS6612A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS6612A_03 FAIRCHILD

获取价格

 		Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFET
FDS6612AD84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS6612AL86Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS6612A-NB5E029A FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDS6612A-NB5E029A ONSEMI

获取价格

 		单 N 沟道，逻辑电平，Power Trench® MOSFET，30V，8.4A，22m
FDS6612A-OLDDIE FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDS6612AS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS6614A FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDS6614AF011 FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS6614AL86Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

与FDS6612A相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证