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FDS6570AL86Z

更新时间： 2024-09-28 14:30:15

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	201K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 15A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS6570AL86Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.37	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	15 A
最大漏源导通电阻：	0.0075 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDS6570AL86Z 数据手册

March 2000

FDS6570A

Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

General Description

Features

This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced

using Fairchild Semiconductor's advanced

PowerTrench process that has been especially tailored

to minimize on-state resistance and yet maintain superior

switching performance.

• 15 A, 20 V. R_DS(on)= 0.0075 Ω @ V_GS= 4.5 V

R_DS(on)= 0.010 Ω @ V_GS= 2.5 V.

• Low gate charge (47nC typical).

• Fast switching speed.

These devices are well suited for low voltage and battery

powered applications where low in-line power loss and

fast switching are required.

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

Applications

• High power and current handling capability.

• DC/DC converter

• Load switch

• Battery protection

SO-8

T_A= 25°C unless otherwise noted

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

FDS6570A

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

P_D

Power Dissipation for Single Operation

2.5

(Note 1b)

(Note 1c)

1.2

T_J, T_stg

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

Thermal Characteristics

(Note 1a)

(Note 1)

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

C/W

Package Outlines and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape Width

Quantity

FDS6570A

13’’

12mm

2500 units

2000 Fairchild Semiconductor Corporation

FDS6570A Rev. C

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS6572A	FAIRCHILD	获取价格	20V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6572AD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6572AF011	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6572AL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6574A	FAIRCHILD	获取价格	20V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6574A	ONSEMI	获取价格	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，20V，16A，6mΩ
FDS6574A_08	FAIRCHILD	获取价格	20V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6574AD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6574AF011	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS6574AL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-

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