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FDS6612A

更新时间： 2024-05-23 22:23:30
品牌 Logo 应用领域
友台半导体 - UMW /
页数 文件大小 规格书
7页 473K
描述
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:8.4A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:22mΩ@10V;漏源导通电阻:30mΩ@4.5V

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FDS6612A 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SO-8针数：8
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.37
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：8.4 A最大漏源导通电阻：0.022 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS6612A 数据手册

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R
FDS6612A  
UMW  
30V N-Channel MOSFET  
Features  
•
VDS (V) = 30V  
5
6
7
8
4
3
2
1
G
S
S
S
D
D
D
D
(VGS = 10V)  
•
•
ID = 8.4A  
RDS(ON) ＜  
RDS(ON) ＜  
22m  
Ω(V  
GS  
=10V)  
30 m  
Ω(V  
•
•
GS  
=4.5V)  
Fast switching speed  
Low gate charge  
•
•
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
•
High power and current handling capability  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
30  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±20  
8.4  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
40  
2.5  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
PD  
W
1.0  
EAS  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy  
(Note 3)  
24  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1)  
50  
125  
25  
RθJA  
RθJA  
RθJC  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
www.umw-ic.com  
UTD Semiconductor Co.,Limited  
1
1234567

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与FDS6612A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS6612A_03 FAIRCHILD

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 		Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFET
FDS6612AD84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS6612AL86Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS6612A-NB5E029A FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDS6612A-NB5E029A ONSEMI

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 		单 N 沟道，逻辑电平，Power Trench® MOSFET，30V，8.4A，22m
FDS6612A-OLDDIE FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDS6612AS62Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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FDS6614AF011 FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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