FDS6375

更新时间： 2024-02-03 19:52:47

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	196K
描述
Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

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FDS6375 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.2	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.024 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDS6375 数据手册

February 1999

FDS6375

Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench^TMMOSFET

General Description

Features

This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced

using Fairchild Semiconductor's advanced

PowerTrench process that has been especially tailored

to minimize on-state resistance and yet maintain superior

switching performance.

• -8.0 A, -20 V. R_DS(on)= 0.024 Ω @ V_GS= -4.5 V

R_DS(on)= 0.032 Ω @ V_GS= -2.5 V.

• Low gate charge (23nC typical).

• Fast switching speed.

These devices are well suited for low voltage and battery

powered applications where low in-line power loss and

fast switching are required.

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

Applications

• High power and current handling capability.

• DC/DC converter

• Load switch

• Battery Protection

SO-8

T_A= 25°C unless otherwise noted

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Ratings

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

- Pulsed

-20

(Note 1a)

-8.0

-50

P_D

Power Dissipation for Single Operation

2.5

(Note 1b)

(Note 1c)

1.2

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

T_J, T

stg

Thermal Characteristics

(Note 1a)

(Note 1)

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

C/W

Package Outlines and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape Width

Quantity

FDS6375

13’’

12mm

2500 units

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

FDS6375 Rev. C

12 3 4 5 6 7 8

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FDS6375 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NDS8434A	FAIRCHILD	类似代替	Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8434	FAIRCHILD	类似代替	Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
TPS1100DR	TI	功能相似	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 15V V(BR)DSS \| 1.6A I(D) \| SO

与FDS6375相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS6375_01	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDS6375_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDS6375-B4M001D	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
FDS6375D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDS6375F011	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDS6375L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDS6375S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDS6375T/R	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDS-64	YAMAICHI	获取价格	Card Edge Connector, 64 Contact(s), 2 Row(s), Female, IDC Terminal, Socket
FDS6570A	FAIRCHILD	获取价格	Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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