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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STS7NF60L
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STS7NF60L

更新时间： 2024-02-21 00:59:58
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 285K
描述
N-CHANNEL 60V - 0.017 ohm - 7.5A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STS7NF60L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.68
Is Samacsys：N其他特性：LOW THRESHOLD
雪崩能效等级（Eas）：350 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.5 A
最大漏极电流 (ID)：7.5 A最大漏源导通电阻：0.0215 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STS7NF60L 数据手册

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STS7NF60L  
N-CHANNEL 60V - 0.017 Ω - 7.5A SO-8  
STripFET™ II POWER MOSFET  
V
R
I
TYPE  
DSS  
DS(on)  
D
STS7NF60L  
60 V  
< 0.0195 Ω  
7.5 A  
■
■
TYPICAL R (on) = 0.017 Ω  
DS  
STANDARD OUTLINE FOR EASY  
AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY  
LOW THRESHOLD DRIVE  
■
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™"  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remark-  
able manufacturing reproducibility.  
SO-8  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
DC MOTOR DRIVE  
DC-DC CONVERTERS  
BATTERY MANAGEMENT IN NOMADIC  
EQUIPMENT  
■
POWER MANAGEMENT IN  
PORTABLE/DESKTOP PCs  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
60  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
60  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 16  
7.5  
4.7  
30  
V
GS  
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
A
D
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
2.5  
350  
W
mJ  
tot  
(1)  
C
E
Single Pulse Avalanche Energy  
AS  
o
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(1) Starting T = 25 C, I = 7.5 A V = 30 V  
j
D
DD  
April 2002  
1/8  
.
12345678

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STS7NF60L 替代型号

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