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| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | R-XXMA-X |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.74 |
| 应用： | HIGH POWER | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-XXMA-X |
| 相数： | 3 | 最大输出电流： | 360 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UNSPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS602ST | MITSUBISHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, 665A, Silicon, |
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| FDS602TX | MITSUBISHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, 215A, Silicon, |
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| FDS6064N3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
20V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS6064N3_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 23A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| FDS6064N7 | FAIRCHILD |
获取价格 |
20V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDS6064N7D84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 20V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDS6064N7L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 20V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDS6064N7S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 20V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDS6162N3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
20V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS6162N7 | FAIRCHILD |
获取价格 |
20V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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