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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDS6162N3
FDS6162N3 PDF预览

FDS6162N3

更新时间： 2024-11-30 22:40:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 189K
描述
20V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDS6162N3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.3
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：21 A最大漏极电流 (ID)：21 A
最大漏源导通电阻：0.0045 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS6162N3 数据手册

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May 2003  
FDS6162N3  
20V N-Channel PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
“low side” synchronous rectifier operation, providing an  
extremely low RDS(ON) in a small package.  
• 21 A, 20 V  
RDS(ON) = 4.5 mΩ @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 6.0 mΩ @ VGS = 2.5 V  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Applications  
• High power and current handling capability  
• Fast switching  
• Synchronous rectifier  
• DC/DC converter  
• FLMP SO-8 package: Enhanced thermal  
performance in industry-standard package size  
Bottom-side  
Drain Contact  
5
6
7
8
4
3
2
1
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
20  
± 12  
V
V
A
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
21  
60  
3.0  
Power Dissipation  
PD  
W
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
40  
0.5  
RθJA  
RθJC  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
12mm  
Quantity  
2500 units  
FDS6162N3  
FDS6162N3  
13’’  
FDS6162N3 Rev B2 (W)  
2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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FDS6162N3 替代型号

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