是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 0.95 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | FAST SWITCHING | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 13 A |
最大漏极电流 (ID): | 13 A | 最大漏源导通电阻: | 0.009 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 3 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 50 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDS6298_07 | FAIRCHILD |
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30V N-Channel Fast Switching PowerTrench MOSFET | |
FDS6299S | FAIRCHILD |
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30V N-Channel PowerTrench SyncFET | |
FDS6299S_07 | FAIRCHILD |
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30V N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET⑩ | |
FDS6375 | FAIRCHILD |
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Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET | |
FDS6375 | ONSEMI |
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P 沟道,2.5V 指定,PowerTrench™ MOSFET,-20V,-8A,24m | |
FDS6375_01 | FAIRCHILD |
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P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDS6375_NL | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o | |
FDS6375-B4M001D | FAIRCHILD |
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Transistor | |
FDS6375D84Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o | |
FDS6375F011 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |