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FDS6162N7_NL

更新时间： 2024-12-01 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
6页 197K
描述
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 20V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, FLMP, SO-8

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FDS6162N7_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.72外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：23 A最大漏源导通电阻：0.0035 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e4元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS6162N7_NL 数据手册

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May 2003  
FDS6162N7  
20V N-Channel PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
“low side” synchronous rectifier operation, providing an  
extremely low RDS(ON) in a small package.  
• 23 A, 20 V  
RDS(ON) = 3.5 mΩ @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 5.0 mΩ @ VGS = 2.5 V  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Applications  
• High power and current handling capability  
• Fast switching  
• Synchronous rectifier  
• DC/DC converter  
• FLMP SO-8 package: Enhanced thermal  
performance in industry-standard package size  
Bottom-side  
Drain Contact  
5
6
7
8
4
3
2
1
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
20  
± 12  
V
V
A
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
23  
60  
3.0  
Power Dissipation  
PD  
W
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
40  
0.5  
RθJA  
RθJC  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS6162N7  
FDS6162N7  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS6162N7 Rev C2 (W)  
2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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