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FDS6064N7L99Z

更新时间： 2024-01-11 15:05:09
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 118K
描述
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 20V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS6064N7L99Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.72配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：23 A
最大漏源导通电阻：0.0035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS6064N7L99Z 数据手册

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February 2002  
PRELIMINARY  
FDS6064N7  
20V N-Channel PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
“low side” synchronous rectifier operation, providing an  
extremely low RDS(ON) in a small package.  
·
23 A, 20 V. RDS(ON)  
RDS(ON)  
= 3.5 mW @ VGS = 4.5 V  
= 4 mW @ VGS = 2.5 V  
= 6 mW @ VGS = 1.8 V  
RDS(ON)  
·
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Applications  
·
·
·
High power and current handling capability  
Fast switching, low gate charge  
·
·
Synchronous rectifier  
DC/DC converter  
Bottomlessä SO-8 package: Enhanced thermal  
performance in industry-standard package size  
Bottom-side  
Drain Contact  
D
S
5
6
7
8
4
3
2
1
S
S
S
G
Bottomless  
SO-8  
S
S
S
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
20  
VGSS  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
± 8  
ID  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
23  
60  
A
Power Dissipation  
3.0  
PD  
W
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
40  
RqJA  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
0.5  
RqJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS6064N7  
FDS6064N7  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS6064N7 Rev B (W)  
Ó2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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与FDS6064N7L99Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS6064N7S62Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 20V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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