5秒后页面跳转
| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.71 | 主体/外壳类型： | SOCKET |
| 连接器类型： | CARD EDGE CONNECTOR | 触点性别： | FEMALE |
| DIN 符合性： | NO | 滤波功能： | NO |
| IEC 符合性： | NO | MIL 符合性： | NO |
| 混合触点： | NO | 安装类型： | CABLE |
| 装载的行数： | 2 | 端接类型： | IDC |
| 触点总数： | 60 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS602SP | MITSUBISHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, 360A, Silicon, |
|
| FDS602ST | MITSUBISHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, 665A, Silicon, |
|
| FDS602TX | MITSUBISHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, 215A, Silicon, |
|
| FDS6064N3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
20V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDS6064N3_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 23A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| FDS6064N7 | FAIRCHILD |
获取价格 |
20V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDS6064N7D84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 20V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDS6064N7L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 20V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDS6064N7S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 20V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDS6162N3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
20V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
