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| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.71 | 主体/外壳类型： | SOCKET |
| 连接器类型： | CARD EDGE CONNECTOR | 触点性别： | FEMALE |
| DIN 符合性： | NO | 滤波功能： | NO |
| IEC 符合性： | NO | MIL 符合性： | NO |
| 混合触点： | NO | 安装类型： | CABLE |
| 装载的行数： | 2 | 端接类型： | IDC |
| 触点总数： | 60 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS602SP | MITSUBISHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, 360A, Silicon, |
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| FDS602ST | MITSUBISHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, 665A, Silicon, |
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| FDS602TX | MITSUBISHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 3 Phase, 215A, Silicon, |
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| FDS6064N3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
20V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS6064N3_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 23A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| FDS6064N7 | FAIRCHILD |
获取价格 |
20V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS6064N7D84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 20V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDS6064N7L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 20V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDS6064N7S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 20V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDS6162N3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
20V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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