FDS5690_NL

更新时间： 2024-09-28 13:07:47

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	237K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FDS5690_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SOIC-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.34
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A	最大漏极电流 (ID)：	7 A
最大漏源导通电阻：	0.028 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDS5690_NL 数据手册

March 2000

FDS5690

60V N-Channel PowerTrench MOSFET

Features

General Description

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild

Semiconductor's advanced PowerTrench process that

has been especially tailored to minimize on-state

resistance and yet maintain superior switching

performance.

• 7 A, 60 V. R_DS(on)= 0.028 Ω @ V_GS= 10 V

_DS(on)= 0.033 Ω @ V_GS= 6 V.

• Low gate charge (23nC typical).

• Fast switching speed.

These devices are well suited for low voltage and battery

powered applications where low in-line power loss and

fast switching are required.

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

Applications

• High power and current handling capability.

• DC/DC converter

• Motor drives

SO-8

T_A= 25°C unless otherwise noted

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Ratings

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

P_D

Power Dissipation for Single Operation

2.5

(Note 1b)

(Note 1c)

1.2

T_J, T_stg

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

Thermal Characteristics

(Note 1a)

(Note 1)

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

C/W

Package Outlines and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape Width

Quantity

FDS5690

13’’

12mm

2500 units

2000 Fairchild Semiconductor Corporation

FDS5690 Rev. C

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

FDS5690_NL 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDS5680	ONSEMI	功能相似	N 沟道 PowerTrench MOSFET，60V，8A，20mΩ
FDS5690	FAIRCHILD	功能相似	60V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS5680	FAIRCHILD	功能相似	60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET

与FDS5690_NL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS5690D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDS5690L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDS5690-NBBM009A	ONSEMI	获取价格	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，7A，28mΩ
FDS5692Z	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel UltraFET Trench MOSFET 50V, 5.8A, 24m Ohm
FDS-60	YAMAICHI	获取价格	Card Edge Connector, 60 Contact(s), 2 Row(s), Female, IDC Terminal, Socket
FDS602SP	MITSUBISHI	获取价格	Rectifier Diode, 3 Phase, 360A, Silicon,
FDS602ST	MITSUBISHI	获取价格	Rectifier Diode, 3 Phase, 665A, Silicon,
FDS602TX	MITSUBISHI	获取价格	Rectifier Diode, 3 Phase, 215A, Silicon,
FDS6064N3	FAIRCHILD	获取价格	20V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6064N3_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 23A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-

与FDS5690_NL相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

24
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

21
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

20
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FDS5690_NL

FDS5690_NL 技术参数

FDS5690_NL 数据手册

FDS5690_NL 替代型号

与FDS5690_NL相关器件

与FDS5690_NL相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FDS5690_NL

FDS5690_NL 技术参数

FDS5690_NL 数据手册

FDS5690_NL 替代型号

与FDS5690_NL相关器件

与FDS5690_NL相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？