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FDS5690_NL PDF预览

FDS5690_NL

更新时间： 2024-12-01 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 237K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS5690_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SOIC-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS5690_NL 数据手册

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March 2000  
FDS5690  
60V N-Channel PowerTrench MOSFET  
Features  
General Description  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor's advanced PowerTrench process that  
has been especially tailored to minimize on-state  
resistance and yet maintain superior switching  
performance.  
• 7 A, 60 V. RDS(on) = 0.028 Ω @ VGS = 10 V  
DS(on) = 0.033 Ω @ VGS = 6 V.  
R
• Low gate charge (23nC typical).  
• Fast switching speed.  
These devices are well suited for low voltage and battery  
powered applications where low in-line power loss and  
fast switching are required.  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
Applications  
• High power and current handling capability.  
• DC/DC converter  
• Motor drives  
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
D
D
G
S
S
SO-8  
S
TA = 25°C unless otherwise noted  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
60  
V
V
A
20  
7
±
(Note 1a)  
(Note 1a)  
50  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
2.5  
W
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.2  
1
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
Thermal Characteristics  
θ
(Note 1a)  
(Note 1)  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
50  
25  
C/W  
C/W  
JA  
°
°
JC  
θ
Package Outlines and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FDS5690  
FDS5690  
13’’  
12mm  
2500 units  
2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS5690 Rev. C  
12345678

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FDS5690_NL 替代型号

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