5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDS5680
FDS5680 PDF预览

FDS5680

更新时间： 2023-09-03 20:36:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 233K
描述
N 沟道 PowerTrench MOSFET，60V，8A，20mΩ

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDS5680 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SO-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.35
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：0.02 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS5680 数据手册

 浏览型号FDS5680的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS5680的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS5680的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS5680的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS5680的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS5680的Datasheet PDF文件第7页 
DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
POWERTRENCH)  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DSS  
DS(on)  
0.020 mW @ 10 V  
0.025 mW @ 6 V  
−60 V  
S A  
60 V  
D
D
FDS5680  
D
D
General Description  
G
This N−Channel MOSFET is produced using onsemi’s advanced  
PowerTrench process that has been especially tailored to minimize  
on−state resistance and yet maintain superior switching performance.  
These devices are well suited for low voltage and battery powered  
applications where low in−line power loss and fast switching are  
required.  
S
S
S
SOIC8  
CASE 751EB  
MARKING DIAGRAM  
Features  
• S A, −60 V.  
R
R
= 0.020 mW @ V = 10 V  
GS  
DS(ON)  
$Y&Z&2&K  
FDS  
= 0.025 mW @ V = 6 V  
DS(ON)  
GS  
• Low Gate Charge (30 nC typical)  
• Fast Switching Speed  
5680  
• High Performance Trench Technology for Extremely Low R  
• High Power and Current Handling Capability  
• These Device is Pb−Free and Halide Free  
DS(ON)  
FDS5680 = Specific Device Code  
$Y  
&Z  
&2  
&K  
= onsemi Logo  
= Assembly Location  
= Date Code  
Applications  
= Lot Run Traceability Code  
• dc−dc Converter  
• Load Switch  
• Motor Drives  
PIN ASSIGNMENT  
5
6
4
3
2
1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Value  
60  
Unit  
V
V
DSS  
GSS  
7
8
Gate−Source Voltage  
20  
V
V
Drain Current  
− Continuous  
− Pulsed  
I
D
(Note 1a)  
8
50  
A
ORDERING INFORMATION  
Power Dissipation for Single Operation  
P
D
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
W
2.5  
1.2  
1
†
Device  
Package  
Shipping  
FDS5680  
SOIC8  
2500 /  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
_C  
−55 to +150  
T , T  
J
stg  
CASE 751EB  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifica-  
tions Brochure, BRD8011/D.  
THERMAL CHARACTERISTICS T = 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
Thermal Resistance,  
°C/W  
50  
R
θ
JA  
Junction−to−Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case  
°C/W  
25  
R
θ
JC  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2022  
1
Publication Order Number:  
June, 2022 − Rev. 0  
FDS5680/D  
1234567

中文翻译

下载PDF

FDS5680 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS5690_NL FAIRCHILD

功能相似

 Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDS5690 FAIRCHILD

功能相似

 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS5680 FAIRCHILD

功能相似

 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET

与FDS5680相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS5680_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDS5680D84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDS5680F011 FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDS5680L99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS5680S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDS5682 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS5682_08 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 7.5A, 21m ohm
FDS5682_NL FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS5690 FAIRCHILD

获取价格

 		60V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS5690 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，7A，28mΩ

与FDS5680相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证