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FDS5680F011

更新时间： 2024-12-01 21:19:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 261K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS5680F011 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.36配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：0.02 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS5680F011 数据手册

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July 1999  
FDS5680  
60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor's advanced PowerTrench process that  
has been especially tailored to minimize on-state  
resistance and yet maintain superior switching  
performance.  
• 8 A, 60 V. RDS(ON) = 0.020 Ω @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 0.025 Ω @ VGS = 6 V.  
• Low gate charge (30nC typical).  
• Fast switching speed.  
These devices are well suited for low voltage and battery  
powered applications where low in-line power loss and  
fast switching are required.  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
• Highpowerandcurrenthandlingcapability.  
Applications  
• DC/DC converter  
• Load switch  
• Motor drives  
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
G
S
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
60  
V
V
A
±20  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
8
50  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.5  
W
1.2  
1
(Note 1c)  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
50  
25  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Package Outlines and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FDS5680  
FDS5680  
13’’  
12mm  
2500 units  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS5680 Rev. C  
12345678

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与FDS5680F011相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS5680L99Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS5680S62Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDS5682 FAIRCHILD

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FDS5682_08 FAIRCHILD

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