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FDS5680F011

更新时间： 2024-01-09 09:15:30

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	261K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS5680F011 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.36	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDS5680F011 数据手册

July 1999

FDS5680

60V N-Channel PowerTrench^TMMOSFET

General Description

Features

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild

Semiconductor's advanced PowerTrench process that

has been especially tailored to minimize on-state

resistance and yet maintain superior switching

performance.

8 A, 60 V. R_DS(ON)= 0.020 Ω @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 0.025 Ω @ V_GS= 6 V.

Low gate charge (30nC typical).

Fast switching speed.

These devices are well suited for low voltage and battery

powered applications where low in-line power loss and

fast switching are required.

High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

Highpowerandcurrenthandlingcapability.

Applications

DC/DC converter

Load switch

Motor drives

SO-8

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Ratings

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

P_D

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

2.5

1.2

(Note 1c)

T_J, T_stg

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

R_θ_JA

°C/W

R_θ_JC

Package Outlines and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape Width

Quantity

FDS5680

13’’

12mm

2500 units

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

FDS5680 Rev. C

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS5680L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS5680S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDS5682	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS5682_08	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 7.5A, 21m ohm
FDS5682_NL	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS5690	FAIRCHILD	获取价格	60V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS5690	ONSEMI	获取价格	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，7A，28mΩ
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FDS5690L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o

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