FDS4953

更新时间： 2024-09-26 22:40:39

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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8页	250K
描述
Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

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FDS4953 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	7.45
Samacsys Description：	TRANS MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC - Bulk	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.055 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

FDS4953 数据手册

February 1999

FDS4953

Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench^TMMOSFET

General Description

Features

These P-Channel

Logic

Level MOSFETs are

-5 A, -30 V. R_DS(ON)= 0.053 W @ V_GS= -10 V,

R_DS(ON)= 0.095 W @ V_GS= -4.5V.

produced using Fairchild Semiconductor's advanced

PowerTrench process that has been especially tailored

to minimize the on-state resistance and yet maintain low

gate charge for superior switching performance.

Low gate charge (8nC typical).

High performance trench technology for extremely low

R_DS(ON)

These devices are well suited for portable electronics

applications: load switching and power management,

battery charging circuits, and DC/DC conversion.

High power and current handling capability.

SuperSOT^TM-6

SO-8

SOT-223

SuperSOT^TM-8

SOIC-16

SOT-23

SO-8

Absolute Maximum Ratings

T_A= 25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Parameter

Ratings

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

- Pulsed

-30

±20

(Note 1a)

-5

-20

P_D

Power Dissipation for Dual Operation

Power Dissipation for Single Operation

1.6

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

0.9

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

R_q_JA

R_q_JC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

°C/W

(Note 1)

FDS4953 Rev.C

12 3 4 5 6 7 8

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FDS4953 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NDS9953A	FAIRCHILD	类似代替	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SI4435DY	FAIRCHILD	类似代替	30V P-Channel PowerTrench MOSFET
NDS9947	FAIRCHILD	类似代替	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

与FDS4953相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS4953_02	FAIRCHILD	获取价格	Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4953_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.055ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS4953D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.053ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS4953L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.053ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS-50	YAMAICHI	获取价格	Card Edge Connector, 50 Contact(s), 2 Row(s), Female, IDC Terminal, Socket
FDS5170N7	FAIRCHILD	获取价格	60V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS5351	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 6.1A, 35mヘ
FDS5351	ONSEMI	获取价格	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，6.1A，35mΩ
FDS5670	FAIRCHILD	获取价格	60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
FDS5670	ONSEMI	获取价格	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，10A，14mΩ

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