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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NDS9953A
NDS9953A PDF预览

NDS9953A

更新时间： 2024-11-05 22:45:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 343K
描述
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDS9953A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SO-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.36
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.9 A
最大漏极电流 (ID)：2.9 A最大漏源导通电阻：0.13 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDS9953A 数据手册

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February 1996  
NDS9953A  
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
-2.9A, -30V. RDS(ON) = 0.13W @ VGS = -10V.  
These P-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high  
cell density, DMOS technology. This very high density  
process is especially tailored to minimize on-state resistance,  
provide superior switching performance, and withstand high  
energy pulses in the avalanche and commutation modes.  
These devices are particularly suited for low voltage  
applications such as notebook computer power management  
and other battery powered circuits where fast switching, low  
in-line power loss, and resistance to transients are needed.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
Dual MOSFET in surface mount package.  
________________________________________________________________________________  
4
3
2
1
5
6
7
8
Absolute Maximum Ratings  
TA= 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDS9953A  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
-30  
V
V
A
VDSS  
VGSS  
ID  
± 20  
± 2.9  
± 10  
2
(Note 1a)  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
W
PD  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.6  
1
0.9  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
R
JC  
q
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS9953A.SAM  
1234567...10

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NDS9953A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4435DY FAIRCHILD

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