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NDS9956AL99Z

更新时间： 2024-09-28 14:54:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 209K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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NDS9956AL99Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.36
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：3.7 A最大漏源导通电阻：0.08 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：15 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDS9956AL99Z 数据手册

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February 1996  
NDS9956A  
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
3.7A, 30V. RDS(ON) = 0.08W @ VGS = 10V  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high  
cell density, DMOS technology. This very high density  
process is especially tailored to minimize on-state resistance,  
provide superior switching performance, and withstand high  
energy pulses in the avalanche and commutation modes.  
These devices are particularly suited for low voltage  
applications such as DC/DC conversion and DC motor  
control where fast switching, low in-line power loss, and  
resistance to transients are needed.  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
Dual MOSFET in surface mount package.  
________________________________________________________________________________  
4
3
2
1
5
6
7
8
Absolute Maximum Ratings  
TA= 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDS9956A  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
30  
V
V
A
VDSS  
VGSS  
ID  
± 20  
± 3.7  
± 15  
2
(Note 1a)  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
W
PD  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.6  
1
0.9  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1)  
R
JC  
q
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS9956A.SAM  
1234567

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与NDS9956AL99Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDS9956AX TI

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 		3.7A, 30V, 0.08ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8
NDS9957 FAIRCHILD

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 		Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9957 TI

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 		2.6A, 60V, 0.16ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDS9957/D84Z TI

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 		2600mA, 60V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9957/L86Z TI

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 		2600mA, 60V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9957/L99Z TI

获取价格

 		2600mA, 60V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9957/S62Z TI

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 		2600mA, 60V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9958 TI

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 		3.5A, 20V, 0.1ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDS9958 FAIRCHILD

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 		Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9958/D84Z TI

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 		3.5A, 20V, 0.1ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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