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NDS9959L86Z

更新时间： 2024-11-21 15:46:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 208K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 50V, 0.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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NDS9959L86Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.74
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：0.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：8 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDS9959L86Z 数据手册

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February 1996  
NDS9959  
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell  
density, DMOS technology. This very high density process is  
especially tailored to minimize on-state resistance, provide  
superior switching performance, and withstand high energy  
pulses in the avalanche and commutation modes. These  
devices are particularly suited for low voltage applications such  
as DC motor control and DC/DC conversion where fast  
switching, low in-line power loss, and resistance to transients  
are needed.  
2.0A, 50V. RDS(ON) = 0.3W @ VGS = 10V  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
Dual MOSFET in surface mount package.  
_________________________________________________________________________________  
4
3
2
1
5
6
7
8
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDS9959  
50  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
A
VDSS  
VGSS  
ID  
± 20  
Drain Current - Continuous @ TA = 25°C  
- Continuous @ TA = 70°C  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
± 2.0  
± 1.6  
- Pulsed  
@ TA = 25°C  
± 8  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
1.6  
W
PD  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1
0.9  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
R
JC  
q
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS9959.SAM  
1234567

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与NDS9959L86Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDS9959L99Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 50V, 0.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
NDS9959S62Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 50V, 0.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
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