5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NDS9959S62Z
NDS9959S62Z PDF预览

NDS9959S62Z

更新时间： 2024-09-28 14:54:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 208K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 50V, 0.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

NDS9959S62Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.74
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：0.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：8 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDS9959S62Z 数据手册

 浏览型号NDS9959S62Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NDS9959S62Z的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NDS9959S62Z的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NDS9959S62Z的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NDS9959S62Z的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NDS9959S62Z的Datasheet PDF文件第7页 
February 1996  
NDS9959  
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell  
density, DMOS technology. This very high density process is  
especially tailored to minimize on-state resistance, provide  
superior switching performance, and withstand high energy  
pulses in the avalanche and commutation modes. These  
devices are particularly suited for low voltage applications such  
as DC motor control and DC/DC conversion where fast  
switching, low in-line power loss, and resistance to transients  
are needed.  
2.0A, 50V. RDS(ON) = 0.3W @ VGS = 10V  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
Dual MOSFET in surface mount package.  
_________________________________________________________________________________  
4
3
2
1
5
6
7
8
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDS9959  
50  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
A
VDSS  
VGSS  
ID  
± 20  
Drain Current - Continuous @ TA = 25°C  
- Continuous @ TA = 70°C  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
± 2.0  
± 1.6  
- Pulsed  
@ TA = 25°C  
± 8  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
1.6  
W
PD  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1
0.9  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
R
JC  
q
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS9959.SAM  
1234567

中文翻译

下载PDF

与NDS9959S62Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDSC1 ETC

获取价格

 		2.0mm 4 Pin Ceramic Surface Mount Crystal
NDSC1-8.000MHZ CALIBER

获取价格

 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 8MHz Nom, SMD, 4 PIN
NDSC3 ETC

获取价格

 		2.0mm 4 Pin Ceramic Surface Mount Crystal
NDSE1 ETC

获取价格

 		2.0mm 4 Pin Ceramic Surface Mount Crystal
NDSE3 ETC

获取价格

 		2.0mm 4 Pin Ceramic Surface Mount Crystal
NDSF1 ETC

获取价格

 		2.0mm 4 Pin Ceramic Surface Mount Crystal
NDSF3 ETC

获取价格

 		2.0mm 4 Pin Ceramic Surface Mount Crystal
NDSH10170A ONSEMI

获取价格

 		碳化硅（SiC）肖特基二极管 - EliteSiC系列，10A，1700V，D1，TO-2
NDSH20120C ONSEMI

获取价格

 		Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteS
NDSH25170A ONSEMI

获取价格

 		碳化硅（SiC）肖特基二极管 - EliteSiC系列，25A，1700V，D1，TO-2

与NDS9959S62Z相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证