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NDS9958

更新时间： 2024-09-27 22:45:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 361K
描述
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDS9958 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.37配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A
最大漏极电流 (ID)：3.5 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：14 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDS9958 数据手册

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February 1996  
NDS9958  
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These dual N- and P-Channel enhancement mode power field  
effect transistors are produced using Fairchild's proprietary,  
high cell density, DMOS technology. This very high density  
process is especially tailored to minimize on-state resistance,  
provide superior switching performance, and withstand high  
energy pulses in the avalanche and commutation modes. These  
devices are particularly suited for low voltage applications such  
as notebook computer power management, Half bridge motor  
control, cellular phone, and other battery powered circuits where  
fast switching, low in-line power loss, and resistance to  
transients are needed.  
N-Channel 3.5A, 20V, RDS(ON) = 0.1W @ VGS = 10V.  
P-Channel -3.5A , -20V, RDS(ON) = 0.1W @ VGS = -10V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
Dual (N & P-Channel) MOSFET in surface mount package.  
_______________________________________________________________________________  
4
3
2
1
5
6
7
8
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
N-Channel  
P-Channel  
-20  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
20  
V
V
A
VDSS  
VGSS  
ID  
± 20  
± 3.5  
± 2.8  
± 14  
± 20  
Drain Current - Continuous TA = 25°C  
- Continuous TA = 70°C  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
± 3.5  
± 2.8  
± 14  
- Pulsed  
TA = 25°C  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.6  
1
0.9  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
R
JC  
q
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS9958.SAM  
1234567...12

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NDS9958 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		3.5A, 20V, 0.1ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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 		3500mA, 20V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
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 		3500mA, 20V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
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 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
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 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
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 		Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9959 ONSEMI

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 		Power Field-Effect Transistor
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 		2A, 50V, 0.3ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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