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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> IRF7509TRPBF
IRF7509TRPBF PDF预览

IRF7509TRPBF

更新时间： 2024-11-20 12:33:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
8页 247K
描述
Generation V Technology

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IRF7509TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：13 weeks风险等级：1.59
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：696316Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：Micro8Samacsys Released Date：2018-07-28 22:35:57
Is Samacsys：N其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：2.7 A最大漏源导通电阻：0.11 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-G8
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7509TRPBF 数据手册

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PD - 95397  
IRF7509PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dual N and P Channel MOSFET  
l Very Small SOIC Package  
l Low Profile (<1.1mm)  
l Available in Tape & Reel  
l Fast Switching  
N-CHANNEL MOSFET  
1
2
3
4
8
D1  
S1  
N-Ch P-Ch  
7
G1  
D1  
6
5
VDSS 30V -30V  
S2  
D2  
G2  
D2  
P-CHANNEL MOSFET  
RDS(on) 0.11Ω 0.20Ω  
Top View  
l Lead-Free  
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced  
processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon  
area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the  
designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety  
of applications.  
The new Micro8 package, with half the footprint area of the standard SO-8,  
provides the smallest footprint available in an SOIC outline. This makes the  
Micro8 an ideal device for applications where printed circuit board space is at  
a premium. The low profile (<1.1mm) of the Micro8 will allow it to fit easily into  
extremely thin application environments such as portable electronics and  
PCMCIA cards.  
Micro8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
N-Channel  
P-Channel  
VDS  
Drain-Source Voltage  
30  
2.7  
2.1  
21  
-30  
-2.0  
-1.6  
-16  
V
A
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS  
Continuous Drain Current, VGS  
Pulsed Drain Current  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Maximum Power Dissipation„  
Maximum Power Dissipation„  
Linear Derating Factor  
1.25  
W
W
0.8  
10  
± 20  
mW/°C  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
VGSM  
dv/dt  
Gate-to-Source Voltage Single Pulse tp<10µS  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
30  
V
5.0  
V/ns  
°C  
TJ , TSTG  
-55 to + 150  
240 (1.6mm from case)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambient „  
Max.  
100  
Units  
°C/W  
RθJA  
www.irf.com  
1
6/15/04  
12345678

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IRF7509TRPBF 替代型号

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