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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 15 weeks | 风险等级： | 0.8 |
| 其他特性： | ULTRA LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 33 mJ |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7530TR | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF7530PBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7530 | INFINEON |
类似代替 |
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.030ohm) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7534D1 | INFINEON |
获取价格 |
FETKY MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-20V, Rds(on)=0.055ohm, Schottky Vf=0.39V) |
|
| IRF7534D1PBF | INFINEON |
获取价格 |
MOSFET SCHOTTKY DIODE |
|
| IRF7555 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.055ohm) |
|
| IRF7555PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRF7555TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.055ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF7580MPbF | INFINEON |
获取价格 |
DirectFET® N-Channel Power MOSFET |
|
| IRF7580MPBF_15 | INFINEON |
获取价格 |
Brushed motor drive applications |
|
| IRF7580MTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
DirectFET® N-Channel Power MOSFET |
|
| IRF7601 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.035ohm) |
|
| IRF7601PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 20V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
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