5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7607
IRF7607 PDF预览

IRF7607

更新时间： 2024-11-08 22:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 79K
描述
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.030ohm)

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF7607 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SOIC-8Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.74其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：6.5 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-G8
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7607 数据手册

 浏览型号IRF7607的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF7607的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF7607的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF7607的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF7607的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF7607的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 93845  
PROVISIONAL  
IRF7607  
HEXFET® Power MOSFET  
●
●
●
●
●
●
Trench Technology  
Ultra Low On-Resistance  
N-Channel MOSFET  
Very Small SOIC Package  
Low Profile (<1.1mm)  
Available in Tape & Reel  
A
A
1
2
8
S
S
D
VDSS = 20V  
7
D
3
4
6
S
D
5
G
D
RDS(on) = 0.030Ω  
Top View  
Description  
New trench HEXFET power MOSFETs from International  
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the ruggedized device design that HEXFET  
power MOSFETs are well known for, provides the designer  
withanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawide  
varietyofapplications.  
The new Micro8 package has half the footprint area of the  
standard SO-8. This makes the Micro8 an ideal package for  
applicationswhereprintedcircuitboardspaceisatapremium.  
Thelowprofile(<1.1mm)oftheMicro8willallowittofiteasily  
intoextremelythinapplicationenvironmentssuchasportable  
electronicsandPCMCIAcards.  
Micro8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain- Source Voltage  
20  
6.5  
V
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA= 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Pulsed Drain Current   
5.2  
A
50  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Power Dissipation  
1.8  
W
Power Dissipation  
1.2  
Linear Derating Factor  
0.014  
± 12  
W/°C  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientƒ  
Max.  
70  
Units  
°C/W  
RθJA  
www.irf.com  
1
1/19/00  
12345678

中文翻译

下载PDF

IRF7607 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7607TRPBF INFINEON

类似代替

 Trench Technology

与IRF7607相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7607PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF7607TR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF7607TRHR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF7607TRPBF INFINEON

获取价格

 		Trench Technology
IRF7663 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.020ohm)
IRF7663PBF INFINEON

获取价格

 		Trench Technology, Ultra Low On-Resistance, P-Channel MOSFET
IRF7663TRPBF INFINEON

获取价格

 		MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
IRF7665S2PBF INFINEON

获取价格

 		Key parameters optimized for Class-D audio amplifier applications
IRF7665S2PBF_15 INFINEON

获取价格

 		Can deliver up to 100W per channel into 8 with no heatsink
IRF7665S2TR1PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 100V, 0.062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

与IRF7607相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证