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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.055 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-G8 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 34 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7555 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.055ohm) |
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| IRF7555PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF7555TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.055ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF7580MPbF | INFINEON |
获取价格 |
DirectFET® N-Channel Power MOSFET |
|
| IRF7580MPBF_15 | INFINEON |
获取价格 |
Brushed motor drive applications |
|
| IRF7580MTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
DirectFET® N-Channel Power MOSFET |
|
| IRF7601 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.035ohm) |
|
| IRF7601PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 20V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF7601TR | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRF7603 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.035ohm) |
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