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IRF7530TR PDF预览

IRF7530TR

更新时间： 2024-09-16 19:05:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 95K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICRO-8

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IRF7530TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：MICRO-8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.11
其他特性：HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：33 mJ
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：5.4 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7530TR 数据手册

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PD-93760C  
IRF7530  
HEXFET® Power MOSFET  
l
l
l
l
l
l
Trench Technology  
1
2
3
4
8
D1  
S1  
G1  
Ultra Low On-Resistance  
Dual N-Channel MOSFET  
Very Small SOIC Package  
Low Profile (<1.1mm)  
VDSS = 20V  
7
D1  
6
S2  
D2  
5
Available in Tape & Reel  
D2  
G2  
RDS(on) = 0.030Ω  
Top View  
Description  
New trench HEXFETpower MOSFETs from International  
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the ruggedized device design that HEXFET  
Power MOSFETs are well known for, provides the designer  
withanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawide  
varietyofapplications.  
The new Micro8package has half the footprint area of the  
standard SO-8. This makes the Micro8 an ideal device for  
applicationswhereprintedcircuitboardspaceisatapremium.  
Thelowprofile(<1.1mm)oftheMicro8willallowittofiteasily  
intoextremelythinapplicationenvironmentssuchasportable  
electronics and PCMCIA cards.  
Micro8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain- Source Voltage  
20  
V
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA= 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Pulsed Drain Current   
5.4  
4.3  
A
40  
1.3  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Power Dissipation  
W
Power Dissipation  
0.80  
Linear Derating Factor  
10  
mW/°C  
mJ  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy„  
Gate-to-Source Voltage  
33  
VGS  
± 12  
V
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientƒ  
Max.  
100  
Units  
°C/W  
RθJA  
www.irf.com  
1
4/12/04  
12345678

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IRF7530TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7530TRPBF INFINEON

类似代替

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IRF7530PBF INFINEON

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IRF7530 INFINEON

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