5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7105PBF
IRF7105PBF PDF预览

IRF7105PBF

更新时间： 2024-09-30 04:23:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 302K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF7105PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.01
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.3 A最大漏极电流 (ID)：3.5 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：14 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7105PBF 数据手册

 浏览型号IRF7105PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF7105PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF7105PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF7105PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF7105PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF7105PBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 95164  
IRF7105PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dual N and P Channel Mosfet  
l Surface Mount  
l Available in Tape & Reel  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Fast Switching  
N-CHANNEL MOSFET  
1
2
3
4
8
N-Ch P-Ch  
D1  
D1  
S1  
7
G1  
VDSS  
25V  
-25V  
6
5
S2  
D2  
D2  
RDS(on) 0.10Ω 0.25Ω  
G2  
P-CHANNEL MOSFET  
l Lead-Free  
Top View  
ID  
3.5A  
-2.3A  
Description  
FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
the lowest possible on-resistance per silicon area.  
This benefit, combined with the fast switching speed  
and ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient device for use in a wide  
variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
power applications. With these improvements,  
multiple devices can be used in an application with  
dramatically reduced board space. The package is  
designed for vapor phase, infra red, or wave soldering  
techniques. Power dissipation of greater than 0.8W  
is possible in a typical PCB mount application.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Max.  
Parameter  
Units  
N-Channel  
P-Channel  
I
D @ TA = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS  
Pulsed Drain Current   
3.5  
@
-2.3  
A
2.8-1.8  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
10V  
14  
-10  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
2.0  
0.016  
± 20  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
dv/dt  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
3.0  
-3.0  
V/nS  
°C  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambient „  
–––  
–––  
62.5  
°C/W  
www.irf.com  
1
10/6/04  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

IRF7105PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7317TRPBF INFINEON

类似代替

 Generation V Technology
IRF7105TRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 25V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
IRF9952TRPBF INFINEON

类似代替

 Generation V Technology

与IRF7105PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7105PBF-1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 25V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
IRF7105Q9BF INFINEON

获取价格

 		HEXFET POWER MOSFET
IRF7105QPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF7105QPBF_10 INFINEON

获取价格

 		HEXFETPOWERMOSFET
IRF7105QTRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IRF7105TR INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRF7105TR UMW

获取价格

 		种类:N+P-Channel;漏源电压（Vdss）:N: 25V ;P：-25V;持续漏极
IRF7105TRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 25V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
IRF7105TRPBF-1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 25V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
IRF7106 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=+-20V)

与IRF7105PBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证