Datasheet > IRF7524D1TRPBF

IRF7524D1TRPBF

更新时间： 2024-09-16 19:25:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	170K
描述
Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRF7524D1TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.81
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.7 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IRF7524D1TRPBF 数据手册

PD-95242

IRF7524D1PbF

FETKY MOSFET & Schottky Diode

l Co-packaged HEXFET® Power

MOSFET and Schottky Diode

l P-Channel HEXFET

V_DSS= -20V

R_DS(on)= 0.27Ω

Schottky Vf = 0.39V

l Low V_FSchottky Rectifier

l Generation 5 Technology

l Micro8 Footprint

l Lead-Free

Description

Top View

The FETKY^TMfamily of co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer the

designer an innovative board space saving solution for switching regulator

applications. Generation 5 HEXFETs utilize advanced processing techniques to

achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combining this technology

with International Rectifier's low forward drop Schottky rectifiers results in an

extremely efficient device suitable for use in a wide variety of portable electronics

applications like cell phone, PDA, etc.

ThenewMicro8^TMpackage, withhalfthefootprintareaofthestandardSO-8, provides

the smallest footprint available in an SOIC outline. This makes the Micro8^TMan ideal

device for applications where printed circuit board space is at a premium. The low

profile (<1.1mm) of the Micro8^TMwill allow it to fit easily into extremely thin application

environments such as portable electronics and PCMCIA cards.

Micro8^TM

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Maximum

Units

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

-1.7

Continuous Drain Current, V_GS@ -4.5V

Pulsed Drain Current À

-1.4

-14

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_A= 70°C

1.25

Power Dissipation

0.8

Linear Derating Factor

mW/°C

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 12

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt Á

Junction and Storage Temperature Range

-5.0

V/ns

°C

T_J,T_STG

-55 to +150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Maximum

Units

R_θJA

Junction-to-Ambient Ã

100

°C/W

Notes:

Repetitive rating – pulse width limited by max. junction temperature (see Fig. 9)

I_SD≤ -1.2A, di/dt ≤ 100A/µs, V_DD≤ V_(BR)DSS, T_J≤ 150°C

Pulse width ≤ 300µs – duty cycle ≤ 2%

When mounted on 1 inch square copper board to approximate typical multi-layer PCB thermal resistance

www.irf.com

5/12/04

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IRF7524D1TRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF7526D1	INFINEON	获取价格	FETKY⑩ MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-30V, Rds
IRF7526D1PBF	INFINEON	获取价格	Co-packaged HEXFETÂ®Power MOSFET and Schottk
IRF7526D1TR	INFINEON	获取价格	Co-packaged HEXFETÃ Power MOSFET and Schottk
IRF7526D1TRPBF	INFINEON	获取价格	Co-packaged HEXFETÂ®Power MOSFET and Schottk
IRF7530	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.030ohm)
IRF7530PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF7530TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF7530TRPBF	INFINEON	获取价格	Trench Technology
IRF7534D1	INFINEON	获取价格	FETKY MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-20V, Rds(on)=0.055ohm, Schottky Vf=0.39V)
IRF7534D1PBF	INFINEON	获取价格	MOSFET SCHOTTKY DIODE

与IRF7524D1TRPBF相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

6
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

6
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

88
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

79

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRF7524D1TRPBF

IRF7524D1TRPBF 技术参数

IRF7524D1TRPBF 数据手册

与IRF7524D1TRPBF相关器件

与IRF7524D1TRPBF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRF7524D1TRPBF

IRF7524D1TRPBF 技术参数

IRF7524D1TRPBF 数据手册

与IRF7524D1TRPBF相关器件

与IRF7524D1TRPBF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？