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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE, MO-187AA, MICRO-8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.37 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.27 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7524D1GTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
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| IRF7524D1PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IRF7524D1TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
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| IRF7526D1 | INFINEON |
获取价格 |
FETKY⑩ MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-30V, Rds |
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| IRF7526D1PBF | INFINEON |
获取价格 |
Co-packaged HEXFET®Power MOSFET and Schottk |
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| IRF7526D1TR | INFINEON |
获取价格 |
Co-packaged HEXFETÃ Power MOSFET and Schottk |
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| IRF7526D1TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Co-packaged HEXFET®Power MOSFET and Schottk |
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| IRF7530 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.030ohm) |
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| IRF7530PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7530TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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