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IRF7524D1PBF

更新时间： 2024-11-20 19:25:27
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 170K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IRF7524D1PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.82峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

IRF7524D1PBF 数据手册

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PD-95242  
IRF7524D1PbF  
TM  
FETKY MOSFET & Schottky Diode  
l Co-packaged HEXFET® Power  
MOSFET and Schottky Diode  
l P-Channel HEXFET  
1
2
3
4
8
7
K
K
A
VDSS = -20V  
RDS(on) = 0.27Ω  
Schottky Vf = 0.39V  
A
l Low VF Schottky Rectifier  
l Generation 5 Technology  
6
5
S
D
D
TM  
G
l Micro8 Footprint  
l Lead-Free  
Description  
Top View  
The FETKYTM family of co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer the  
designer an innovative board space saving solution for switching regulator  
applications. Generation 5 HEXFETs utilize advanced processing techniques to  
achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combining this technology  
with International Rectifier's low forward drop Schottky rectifiers results in an  
extremely efficient device suitable for use in a wide variety of portable electronics  
applications like cell phone, PDA, etc.  
ThenewMicro8TM package, withhalfthefootprintareaofthestandardSO-8, provides  
the smallest footprint available in an SOIC outline. This makes the Micro8TM an ideal  
device for applications where printed circuit board space is at a premium. The low  
profile (<1.1mm) of the Micro8TM will allow it to fit easily into extremely thin application  
environments such as portable electronics and PCMCIA cards.  
Micro8TM  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Maximum  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
-1.7  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
Pulsed Drain Current À  
-1.4  
-14  
A
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
1.25  
W
Power Dissipation  
0.8  
Linear Derating Factor  
10  
mW/°C  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 12  
dv/dt  
Peak Diode Recovery dv/dt Á  
Junction and Storage Temperature Range  
-5.0  
V/ns  
°C  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Maximum  
Units  
RθJA  
Junction-to-Ambient à  
100  
°C/W  
Notes:  
 Repetitive rating – pulse width limited by max. junction temperature (see Fig. 9)  
‚ ISD ≤ -1.2A, di/dt ≤ 100A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ 150°C  
ƒ Pulse width ≤ 300µs – duty cycle ≤ 2%  
„
When mounted on 1 inch square copper board to approximate typical multi-layer PCB thermal resistance  
www.irf.com  
1
5/12/04  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7524D1TRPBF INFINEON

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 		Transistor
IRF7526D1 INFINEON

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 		FETKY⑩ MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-30V, Rds
IRF7526D1PBF INFINEON

获取价格

 		Co-packaged HEXFET®Power MOSFET and Schottk
IRF7526D1TR INFINEON

获取价格

 		Co-packaged HEXFETÒ Power MOSFET and Schottk
IRF7526D1TRPBF INFINEON

获取价格

 		Co-packaged HEXFET®Power MOSFET and Schottk
IRF7530 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.030ohm)
IRF7530PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRF7530TR INFINEON

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IRF7530TRPBF INFINEON

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IRF7534D1 INFINEON

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 		FETKY MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-20V, Rds(on)=0.055ohm, Schottky Vf=0.39V)

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