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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 1157 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 15 A | 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7521D1 | INFINEON |
获取价格 |
FETKY⑩ MOSFET / Schottky Diode(Vdss=20V, Rds( |
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| IRF7523D1 | INFINEON |
获取价格 |
FETKY⑩ MOSFET / Schottky Diode(Vdss=30V, Rds( |
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| IRF7523D1TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 30V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF7523D1TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 30V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF7524D1 | INFINEON |
获取价格 |
FETKY⑩ MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-20V, Rds |
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| IRF7524D1GPBF | INFINEON |
获取价格 |
FETKY MOSFET & Schottky Diode |
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| IRF7524D1GTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
|
| IRF7524D1PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IRF7524D1TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
|
| IRF7526D1 | INFINEON |
获取价格 |
FETKY⑩ MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-30V, Rds |
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