5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 15 weeks | 风险等级： | 0.7 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 785106 | Samacsys Pin Count： | 8 |
| Samacsys Part Category： | Undefined or Miscellaneous | Samacsys Package Category： | Small Outline Packages |
| Samacsys Footprint Name： | 8 Lead SOIC | Samacsys Released Date： | 2019-03-08 16:13:27 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 44 mJ | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MS-012AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7317TRPBF | INFINEON |
类似代替  |
Generation V Technology |
|
| IRF7105TRPBF | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 25V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
|
| IRF7317PBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9953 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.25ohm) |
|
| IRF9953PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRF9953TR | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRF9953TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRF9956 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.10ohm) |
|
| IRF9956PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF9956TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF9956TR | UMW |
获取价格 |
种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25° |
|
| IRF9956TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF9D | ETC |
获取价格 |
Analog IC |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
