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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9Z14-018PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF9Z14-029 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF9Z14L | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF9Z14LPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF9Z14PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(on) = |
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| IRF9Z14S | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A) |
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| IRF9Z14S | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF9Z14S, SiHF9Z14S, IRF9Z14L, SiHF9Z14L | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF9Z14SPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF9Z14STRL | VISHAY |
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Power MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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