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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF9953PBF
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IRF9953PBF

更新时间： 2024-09-28 04:23:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
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7页 207K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

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IRF9953PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.13
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：57 mJ
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.3 A最大漏极电流 (ID)：2.3 A
最大漏源导通电阻：0.25 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF9953PBF 数据手册

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PD - 95477  
IRF9953PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dual P-Channel MOSFET  
l Surface Mount  
l Very Low Gate Charge and  
Switching Losses  
1
2
3
4
8
S1  
G1  
D1  
VDSS = -30V  
7
D1  
6
S2  
D2  
5
G2  
D2  
RDS(on) = 0.25Ω  
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
Top View  
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use  
in a wide variety of applications.  
Recommended upgrade: IRF7306 or IRF7316  
Lower profile/smaller equivalent: IRF7506  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
powerapplications. Withtheseimprovements,multiple  
devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically  
reduced board space. The package is designed for  
vapor phase, infra red, or wave soldering techniques.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings ( TA = 25°C Unless Otherwise Noted)  
Symbol  
VDS  
VGS  
Maximum  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
-30  
± 20  
-2.3  
V
TA = 25°C  
TA = 70°C  
Continuous Drain Currentꢀ  
ID  
-1.8  
A
Pulsed  
Drain  
-10  
CurrentI  
DM  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
IS  
1.6  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
2.0  
1.3  
Maximum Power Dissipation ꢀ  
P
D
W
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche  
EAS  
57  
mJ  
A
CurrentIAR  
-1.3  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dtƒ  
Junction and Storage Temperature Range  
EAR  
0.20  
V/  
mJ  
dv/dt-5.0  
TJ, TSTG  
ns  
-55 to + 150  
°C  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Units  
Maximum Junction-to-Ambientꢀ  
RθJA  
62.5  
°C/W  
7/16/04  
1234567

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