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IRF9953TR

更新时间： 2024-02-13 21:11:52
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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PD - 9.1560A  
IRF9953  
PRELIMINARY  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dual P-Channel MOSFET  
l Surface Mount  
1
8
S1  
D 1  
VDSS = -30V  
2
7
G 1  
D 1  
3
6
S2  
D 2  
l Very Low Gate Charge and  
Switching Losses  
4
5
G 2  
D 2  
RDS(on) = 0.25Ω  
l Fully Avalanche Rated  
Top View  
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use  
in a wide variety of applications.  
Recommended upgrade: IRF7306 or IRF7316  
Lower profile/smaller equivalent: IRF7506  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
powerapplications. Withtheseimprovements,multiple  
devices can be used in an application with dramatically  
reduced board space. The package is designed for  
vapor phase, infra red, or wave soldering techniques.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings ( TA = 25°C Unless Otherwise Noted)  
Symbol  
Maximum  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
-30  
V
VGS  
± 20  
-2.3  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
Continuous Drain Currentꢀ  
ID  
-1.8  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
-10  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
1.6  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
2.0  
Maximum Power Dissipation ꢀ  
PD  
W
1.3  
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
EAS  
IAR  
57  
mJ  
A
-1.3  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dtƒ  
Junction and Storage Temperature Range  
EAR  
0.20  
-5.0  
mJ  
V/ ns  
°C  
dv/dt  
TJ, TSTG  
-55 to + 150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Units  
Maximum Junction-to-Ambientꢀ  
RθJA  
62.5  
°C/W  
8/25/97  
1234567

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IRF9953TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF9953TRPBF INFINEON

完全替代

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IRF9953PBF INFINEON

类似代替

 HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7504TRPBF INFINEON

功能相似

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与IRF9953TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF9953TRPBF INFINEON

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 		暂无描述
IRF9956 INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.10ohm)
IRF9956PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRF9956TR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF9956TR UMW

获取价格

 		种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°
IRF9956TRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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 		Analog IC
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IRF9Z10 INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRF9Z10 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

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