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IRF9Z10 PDF预览

IRF9Z10

更新时间： 2024-11-20 20:33:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 143K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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IRF9Z10 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：20 weeks 1 day风险等级：5.08
雪崩能效等级（Eas）：140 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.7 A最大漏极电流 (ID)：6.7 A
最大漏源导通电阻：0.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：20 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：27 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF9Z10 数据手册

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IRF9Z10, SiHF9Z10  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
- 60  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
• P-Channel  
R
DS(on) ()  
VGS = - 10 V  
0.50  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
12  
3.8  
COMPLIANT  
• 175 °C Operating Temperature  
• Fast Switching  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
5.1  
• Ease of Paralleling  
Configuration  
Single  
• Simple Drive Requirements  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
S
TO-220AB  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-220AB package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220AB contribute to its  
wide acceptance throughout the industry.  
S
D
G
D
P-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220AB  
IRF9Z10PbF  
SiHF9Z10-E3  
IRF9Z10  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHF9Z10  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
- 60  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
20  
T
C = 25 °C  
- 6.7  
- 4.7  
- 27  
Continuous Drain Current  
VGS at - 10 V  
ID  
T
C = 100 °C  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
Linear Derating Factor  
0.29  
140  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
- 6.7  
4.3  
EAR  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
43  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
- 4.5  
- 55 to + 175  
300d  
10  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
°C  
for 10 s  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = - 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 6.23 mH, Rg = 25 , IAS = - 6.7 A (see fig. 12).  
c. ISD - 6.7 A, dI/dt 90 A/μs, VDD VDS, TJ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 90118  
S11-0511-Rev. B, 21-Mar-11  
www.vishay.com  
1
This datasheet is subject to change without notice.  
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
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 		Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF9Z10-013 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
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