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IRF9Z14STRLPBF

更新时间： 2024-11-18 05:39:27

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	2454K
描述
Power MOSFET

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IRF9Z14STRLPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.02
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	140 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.7 A
最大漏极电流 (ID)：	6.7 A	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	43 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	27 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF9Z14STRLPBF 数据手册

IRF9Z14S, SiHF9Z14S, IRF9Z14L, SiHF9Z14L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Advanced Process Technology

- 60

• Surface Mount (IRF9Z14S/SiHF9Z14S)

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

0.50

•

Low-ProfileThrough-Hole (IRF9Z14L/SiHF9Z14L)

RoHS*

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

3.8

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

5.1

• P-Channel

• Fully Avalanche Rated

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize

advanced processing techniques to achieve extremely low

on-resistance per silicon area. This benefit, combined with

the fast switching speed and ruggedized device design that

Power MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient and reliable device for use in a

wide variety of applications.

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

The D²PAK is a surface mount power package capable of

accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest

power capability and the lowest possible on-resistance in

any existing surface mount package. The D²PAK is suitable

for high current applications because of is low internal

connection resistance and can dissipate up to 2.0 W in a

typical surface mount application.

P-Channel MOSFET

The through-hole version (IRF9Z14L/SiHF9Z14L) is

available for low-profile applications.

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRF9Z14SPbF

SiHF9Z14S-E3

IRF9Z14S

D²PAK (TO-263)

IRF9Z14STRLPbF^a

SiHF9Z14STL-E3^a

IRF9Z14STRL^a

I²PAK (TO-262)

IRF9Z14LPbF

Lead (Pb)-free

SiHF9Z14L-E3

SnPb

SiHF9Z14S

SiHF9Z14STL^a

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

- 60

_C= 25 °C

- 6.7

- 4.7

- 27

0.29

140

- 6.7

4.3

Continuous Drain Current^e

V_GSat - 10 V

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current^{a, e}

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Avalanche Current^a

I_DM

W/°C

E_AS

I_AR

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

_C= 25 °C

3.7

Maximum Power Dissipation

P_D

T_A= 25 °C

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91089

S-Pending-Rev. A, 02-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF9Z14STRLPBFA	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF9Z14STRR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 6.7A I(D) \| TO-263AB
IRF9Z14STRRPBF	VISHAY	获取价格	暂无描述
IRF9Z15	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-220AB
IRF9Z20	INFINEON	获取价格	P-CHANNEL 50 VOLT POWER MOSFETs
IRF9Z20	SAMSUNG	获取价格	P-CHANNEL POWER MOSFETs
IRF9Z20, SiHF9Z20	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF9Z20-005	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 50V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9Z20-005PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 50V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9Z20PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 50V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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