是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.09 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏源导通电阻: | 0.28 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF9Z24FXPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se | |
IRF9Z24FXPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se | |
IRF9Z24L | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A) | |
IRF9Z24L | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRF9Z24LPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
IRF9Z24LPBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRF9Z24N | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A) | |
IRF9Z24N | UMW |
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种类:P-Channel;漏源电压(Vdss):-55V;持续漏极电流(Id)(在25°C | |
IRF9Z24N-002 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
IRF9Z24N-002PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |