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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9Z24-009PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF9Z24-030 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF9Z24-030PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF9Z24F | VISHAY |
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暂无描述 |
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| IRF9Z24FPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF9Z24FPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF9Z24FXPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF9Z24FXPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF9Z24L | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A) |
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| IRF9Z24L | VISHAY |
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Power MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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