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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9Z24FXPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF9Z24FXPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF9Z24L | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A) |
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| IRF9Z24L | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF9Z24LPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF9Z24LPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF9Z24N | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A) |
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| IRF9Z24N | UMW |
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种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-55V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| IRF9Z24N-002 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9Z24N-002PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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