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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9Z24N-019 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9Z24N-019PBF | INFINEON |
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12A, 55V, 0.175ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF9Z24N-024 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9Z24N-029 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9Z24N-029PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9Z24N-030PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9Z24N-031 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9Z24N-031PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9Z24NL | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A) |
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| IRF9Z24NLPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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