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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 0.75 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级（Eas）： | 96 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.175 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF9Z24N | INFINEON |
功能相似  |
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A) |
|
| IRF9Z24 | INFINEON |
功能相似 |
POWER MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9Z24NS | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A) |
|
| IRF9Z24NSPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF9Z24NSTRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF9Z24NSTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF9Z24NSTRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9Z24NSTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF9Z24PBF | INFINEON |
获取价格 |
power mosfet |
|
| IRF9Z24PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRF9Z24S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF9Z24S | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A) |
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