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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9Z32 | INFINEON |
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P-CHANNEL 50 VOLT POWER MOSFETS |
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| IRF9Z32 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.21ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF9Z32-002 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.21ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF9Z32-011 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.21ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF9Z32-013PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.21ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF9Z34 | KERSEMI |
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Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated P-Channel |
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| IRF9Z34 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF9Z34-012PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF9Z34-015PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF9Z34F | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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