IRF9Z34NLPBF

更新时间： 2024-10-30 03:15:55

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Advanced Process Technology

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IRF9Z34NLPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.59
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	180 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	19 A	最大漏极电流 (ID)：	19 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	68 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	68 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PD-95769

IRF9Z34NSPbF

IRF9Z34NLPbF

Lead-Free

www.irf.com

04/25/05

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF9Z34NL	INFINEON	类似代替	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF9Z34NPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ POWER MOSFET
IRF9Z34NS	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
IRF9Z34NSPBF	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRF9Z34NSTRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRF9Z34NSTRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRF9Z34NSTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRF9Z34PBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated P-Channel
IRF9Z34PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF9Z34PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF9Z34S	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.14ohm, Id=-18A)